État actuel : Annulée

Cette norme a été révisée par ISO 17560:2014

Résumé

L'ISO 17560:2002 spécifie une méthode de spectrométrie de masse des ions secondaires utilisant un spectromètre de masse à secteur magnétique ou quadripolaire pour le profilage en profondeur du bore dans le silicium et un profilomètre de surface à stylet ou un interféromètre optique pour l'étalonnage de l'échelle de profondeur. Cette méthode est applicable à des échantillons de silicium monocristallin, polycristallin ou amorphe dont les concentrations atomiques en bore sont comprises entre 1×1016 atomes/cm3 et 1×1020 atomes/cm3, et à des profondeurs de cratères de 50 nm ou plus.

Informations générales

  • État actuel
     : Annulée
    Date de publication
     : 2002-07
    Stade
    : Annulation de la Norme internationale [95.99]
  • Edition
     : 1
    Nombre de pages
     : 10
  • Comité technique :
    ISO/TC 201/SC 6
    ICS :
    71.040.40 
  • RSS mises à jour

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