ISO 17560:2014
p
ISO 17560:2014
65114
недоступно на русском языке

Текущий статус : Опубликовано (Hа стадии пересмотра)

Последний раз этот стандарт был пересмотрен в  2020. Поэтому данная версия остается актуальной
ru
Формат Язык
std 1 63 PDF + ePub
std 2 63 Бумажный
  • CHF63
Пересчитать швейцарские франки (CHF) в ваша валюта

Тезис

ISO 17560:2014 specifies a secondary-ion mass spectrometric method using magnetic-sector or quadrupole mass spectrometers for depth profiling of boron in silicon, and using stylus profilometry or optical interferometry for depth scale calibration. This method is applicable to single-crystal, poly-crystal, or amorphous silicon specimens with boron atomic concentrations between 1 × 1016 atoms/cm3 and 1 × 1020 atoms/cm3, and to crater depths of 50 nm or deeper.

Preview 

Вы можете ознакомиться с данным стандартом в нашей онлайн-библиотеке (OBP)

Общая информация

  •  : Опубликовано
     : 2014-09
    : Подтверждение действия между-народного стандарта [90.93]
  •  : 2
  • ISO/TC 201/SC 6
    71.040.40 
  • RSS обновления

Жизненный цикл

Появились вопросы?

Ознакомьтесь с FAQ

Работа с клиентами
+41 22 749 08 88

Часы работы:
Понедельник – пятница: 09:00-12:00, 14:00-17:00 (UTC+1)